Phase Change Memory : (Record no. 387211)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03411nam a22004575i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 387211
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control ES-MaUEC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230213205323.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija a||||fo|||| 00| 0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 220601s2012 sz | s |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783031017353
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/978-3-031-01735-3
Fuente del número o código doi
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen ES-MaUEC
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor ES-MaUEC
Centro/agencia modificador ES-MaUEC
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7895.M4
Número de documento/Ítem 2012 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Muralimanohar, Naveen
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
9 (RLIN) 686839
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Phase Change Memory :
Resto del título From Devices to Systems
Mención de responsabilidad, etc. by Naveen Muralimanohar, Moinuddin K. Qureshi, Sudhanva Gurumurthi, Bipin Rajendran
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición 1st edition 2012
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer International Publishing
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2012
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea (XIV, 122 páginas)
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Synthesis Lectures on Computer Architecture
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 1935-3243
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Next Generation Memory Technologies -- Architecting PCM for Main Memories -- Tolerating Slow Writes in PCM -- Wear Leveling for Durability -- Wear Leveling Under Adversarial Settings -- Error Resilience in Phase Change Memories -- Storage and System Design With Emerging Non-Volatile Memories.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. As conventional memory technologies such as DRAM and Flash run into scaling challenges, architects and system designers are forced to look at alternative technologies for building future computer systems. This synthesis lecture begins by listing the requirements for a next generation memory technology and briefly surveys the landscape of novel non-volatile memories. Among these, Phase Change Memory (PCM) is emerging as a leading contender, and the authors discuss the material, device, and circuit advances underlying this exciting technology. The lecture then describes architectural solutions to enable PCM for main memories. Finally, the authors explore the impact of such byte-addressable non-volatile memories on future storage and system designs. Table of Contents: Next Generation Memory Technologies / Architecting PCM for Main Memories / Tolerating Slow Writes in PCM / Wear Leveling for Durability / Wear Leveling Under Adversarial Settings / Error Resilience in Phase Change Memories / Storage and System Design With Emerging Non-Volatile Memories.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) Synthesis Collection of Technology_2012
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 670359
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Dispositivos de almacenamiento de datos
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 673059
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Gestión de memoria
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 686840
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Memorias de semiconductores
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Qureshi, Moinuddin Khalil Ahmed,
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
9 (RLIN) 686841
Fechas asociadas al nombre 1978-
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Gurumurthi, Sudhanva
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
9 (RLIN) 686842
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Rajendran, Bipin
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
9 (RLIN) 686843
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Printed edition:
Número Internacional Estándar del Libro 9783031006074
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Printed edition:
Número Internacional Estándar del Libro 9783031028632
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-031-01735-3
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Library of Congress Classification
Tipo de ítem Koha LIBRO-E NO PRÉSTAMO
998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS
Fecha de catalogación 02/2023
Tipo de materia E-book
Catalogador Susana Carmen Delgado Sanz
Catalogado
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 25/11/2022 En línea   TK7895.M4 2012 EB eBook.01112410 25/11/2022 25/11/2022 LIBRO-E NO PRÉSTAMO