MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
05539cam a2200409Ii 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
95872 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230102112726.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
m o d |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr cnu|||unuuu |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
170426s2017 sz a o 000 0 eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
331954313X |
| Información calificativa |
(electronic bk.) |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783319543130 |
| Información calificativa |
(electronic bk.) |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| ISBN cancelado o inválido |
3319543121 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| ISBN cancelado o inválido |
9783319543123 |
| Información calificativa |
(print) |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
N$T |
| Centro/agencia transcriptor |
N$T |
| Centro/agencia modificador |
GW5XE |
| -- |
N$T |
| -- |
EBLCP |
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YDX |
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AZU |
| -- |
UPM |
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OCLCF |
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VT2 |
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UAB |
| -- |
MERER |
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ESU |
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OCLCQ |
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IOG |
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OCLCQ |
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ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
QA76.87 |
| Número de documento/Ítem |
N487 2017 EB |
| 245 00 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Neuro-inspired computing using resistive synaptic devices |
| Mención de responsabilidad, etc. |
Shimeng Yu, editor. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cham, Switzerland |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2017. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (xi, 269 páginas) |
| Otras características físicas |
ilustraciones (algunas a color) |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Término de tipo de contenido |
Texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
text file |
| Formato de codificación |
PDF |
| Fuente |
rda |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
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| Nota general |
SpringerLink |
| -- |
Springer Engineering eBooks 2017 English+International |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
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| Nota de contenido con formato |
Preface; Acknowledgments; Contents; About the Editor; Chapter 1: Introduction to Neuro-Inspired Computing Using Resistive Synaptic Devices; 1.1 The Demand for New Hardware Beyond von Neumann Architecture; 1.2 Neuromorphic Hardware Accelerators and Why Resistive Synaptic Devices?; 1.3 Desirable Characteristics of Resistive Synaptic Devices; 1.4 Crossbar Array Architecture for Accelerating Weighted Sum and Weight Update; 1.5 Challenges of Mapping Learning Algorithms to Neuromorphic Hardware; References; Part I: Device-Level Demonstrations of Resistive Synaptic Devices. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
2.3.3 Ovonic Threshold SwitchReferences; Chapter 3: Pr0.7Ca0.3MnO3 (PCMO)-Based Synaptic Devices; 3.1 Nanoscale PCMO-Based Synaptic Device; 3.2 Reactive Electrode Dependence of PCMO-Based Synaptic Device; 3.3 Nitrogen Treatment for Tunable Synaptic Characteristics; 3.4 Approaches to Improve Synaptic Characteristics; 3.5 Summary and Outlook; References; Chapter 4: TaOx-/TiO2-Based Synaptic Devices; 4.1 Device Fabrication Method; 4.2 Basic Device Characteristics; 4.3 Switching Mechanism; 4.3.1 Experimental Findings; 4.3.2 Physical Modeling; 4.4 Synaptic Function Realization and Modeling Results. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
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| Nota de contenido con formato |
4.4.1 Potentiation and Depression4.4.2 Spike-Timing-Dependent Plasticity; 4.4.3 Paired-Pulse Facilitation; 4.5 3D Synaptic Network; 4.5.1 3D Synaptic Network Realization; 4.5.2 Linearity Tuning; 4.6 Summary and Outlook; References; Part II: Array-Level Demonstrations of Resistive Synaptic Devices and Neural Networks; Chapter 5: Training and Inference in Hopfield Network Using 10x10 Phase Change Synaptic Array; 5.1 Introduction; 5.2 Phase Change Memory Array for Synaptic Operation; 5.3 Hebbian Learning in Synaptic Array. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
5.4 Effects of Device-to-Device Variation on Associative Learning Performance5.5 Summary; References; Chapter 6: Experimental Demonstration of Firing Rate Neural Networks Based on Metal-Oxide Memristive Crossbars; 6.1 Introduction; 6.2 Memristive Devices and Crossbar Circuits; 6.2.1 Device Fabrication and Forming; 6.2.2 Dynamic Characteristics; 6.3 Single-Layer Perceptron; 6.3.1 Inference; 6.3.2 Network Training; 6.4 Multilayer Perceptron; 6.5 3D Memristor-CMOS Hybrid Circuits; 6.6 Challenges and Future Work; References. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Chapter 2: Synaptic Devices Based on Phase-Change Memory2.1 PCM Basics for Synaptic Devices; 2.1.1 Device Operation; 2.1.2 Phase-Change Materials; 2.1.3 Threshold Switching Mechanism; 2.1.4 Resistance Drift; 2.1.5 Scaling; 2.1.6 Array Architecture and Memory Cell Selector; 2.1.7 Power Consumption; 2.2 PCM Synaptic Device Implementations; 2.2.1 PCM as an Electronic Synapse; 2.2.2 Synaptic Plasticity and Learning; 2.2.3 Pulse Schemes for Plasticity; 2.2.4 Gradual Programming Versus Stochastic Programming; 2.3 Future Outlook; 2.3.1 Resistance State Stability; 2.3.2 New Materials Exploration. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
This book summarizes the recent breakthroughs in hardware implementation of neuro-inspired computing using resistive synaptic devices. The authors describe how two-terminal solid-state resistive memories can emulate synaptic weights in a neural network. Readers will benefit from state-of-the-art summaries of resistive synaptic devices, from the individual cell characteristics to the large-scale array integration. This book also discusses peripheral neuron circuits design challenges and design strategies. Finally, the authors describe the impact of device non-ideal properties (e.g. noise, variation, yield) and their impact on the learning performance at the system-level, using a device-algorithm co-design methodology." Provides single-source reference to recent breakthroughs in resistive synaptic devices, not only at individual cell-level, but also at integrated array-level; " Includes detailed discussion of the peripheral circuits and array architecture design of the neuro-crossbar system; " Focuses on new experimental results that are likely to solve practical, artificial intelligent problems, such as image classification. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
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| Nota local 598 (boletines) |
EBOOK, asignarmaterias, EBSPRINGER_2017C |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Ordenadores |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
(OCoLC)fst01036251 |
| -- |
|
| 9 (RLIN) |
138111 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Yu, Shimeng |
| Títulos y otros términos asociados al nombre |
(Electrical engineer), |
| Término indicativo de función/relación |
editor literario |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=http://link.springer.com/10.1007/978-3-319-54313-0 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
|---|
| Fecha de catalogación |
02/2018 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
|
| Catalogado |
Sí |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
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1 |