Next generation spin torque memories (Record no. 95793)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 04915cam a2200481Ii 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 95793
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control ES-MaUEC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230102112721.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija m o d
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr cnu|||unuuu
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 170411s2017 si ob 000 0 eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9789811027208
Información calificativa (electronic bk.)
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 981102720X
Información calificativa (electronic bk.)
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
ISBN cancelado o inválido 9789811027192
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
ISBN cancelado o inválido 9811027196
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen N$T
Centro/agencia transcriptor N$T
Centro/agencia modificador N$T
-- GW5XE
-- EBLCP
-- YDX
-- OCLCF
-- UAB
-- ESU
-- AZU
-- UPM
-- VT2
-- OTZ
-- OCLCQ
-- IOG
-- IDB
-- U3W
-- MERUC
-- ES-MaUEC
Lengua de catalogación spa
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación T174.7
Número de documento/Ítem K387 2017 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Kaushik, Brajesh Kumar.
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Next generation spin torque memories
Mención de responsabilidad, etc. Brajesh Kumar Kaushik, Shivam Verma, Anant Aravind Kulkarni, Sanjay Prajapati.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Singapore
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright [2017]
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido Texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo text file
Formato de codificación PDF
Fuente rda
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie SpringerBriefs in applied sciences and technology
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general SpringerLink
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC.
Nota de bibliografía, etc. Incluye referencias bibliográficas
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Preface; Contents; About the Authors; 1 Emerging Memory Technologies; 1.1 Introduction; 1.2 Non-volatile Memories; 1.2.1 Phase Change Memory; 1.2.2 Resistive RAM; 1.2.3 Ferroelectric RAM; 1.2.4 Magnetoresistive RAM; 1.3 Spin Torque Based Memories; 1.3.1 Spin Transfer Torque MRAM; 1.3.2 Spin Orbit Torque MRAM; 1.3.3 Domain Wall MRAM; 1.4 Comparison of Emerging Memory Technologies; 1.5 Chapter Summary; References; 2 Next Generation 3-D Spin Transfer Torque Magneto-resistive Random Access Memories; 2.1 Overview of Conventional STT MRAM: Architecture and Operation; 2.2 Cell Size in Memories.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 2.3 Next Generation 4F2 STT MRAM2.3.1 Proposed Architecture; 2.3.2 Performance Parameters and Windows; 2.3.3 Simulation Framework; 2.4 Case Study; 2.4.1 TCAD Analysis; 2.4.2 TCAD Simulation Setup; 2.4.3 Mixed-Mode Simulation Results; 2.4.4 Impact of High-k GAA Devices; 2.4.5 Impact of High-k GD on Delay; 2.5 Proposed Fabrication Methodology; 2.6 Conclusion; References; 3 Spin Orbit Torque MRAM; 3.1 Introduction; 3.2 SOT Device Structure; 3.3 SOT-MRAM Bit-Cell and Array Architectures; 3.4 SOT-MRAM Write and Read Mechanisms; 3.4.1 Concept of Simultaneous Read and Write Operations.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 3.5 Compact Modeling of the SOT-MTJ Device3.5.1 Magnetization Dynamics; 3.5.2 TMR; 3.6 Design Aspects and Performance Optimization of SOT-MRAM; 3.7 Comparative Analysis of STT-MRAM and SOT-MRAM; References; 4 Multilevel Cell MRAMs; 4.1 Introduction; 4.2 Issues with Single Level Cell (SLC) STT-/SOT-MRAM; 4.3 Multilevel Cell (MLC) Configurations; 4.3.1 STT Based MLC Configurations; 4.3.2 SOT Based MLC Configurations; 4.4 Multilevel Cell (MLC) MRAM Operations; 4.4.1 MLC STT-MRAM Write and Read Operations; 4.4.2 MLC SOT-MRAM Write and Read Operation; 4.5 Modeling and Simulation of MLC MRAMs.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 4.5.1 Simulations of MLC MRAMs4.6 Design Aspects and Optimization of MLC MRAMs; 4.6.1 sMLC MRAMs; 4.6.2 pMLC MRAMs; 4.7 Conclusions; References; 5 Magnetic Domain Wall Race Track Memory; 5.1 Introduction; 5.1.1 Limitations of Existing and Emerging Memory Technologies; 5.2 Fundamentals of Domain-Wall Motion in Nanowire; 5.2.1 Magnetic Domains in Magnetic Nanowire; 5.2.2 Domain-Wall Motion in Nanowire; 5.2.3 Optimization of Domain Wall Motion; 5.3 Domain Wall MRAM; 5.3.1 DW-MRAM Write and Read Operations; 5.4 Racetrack Memory; 5.4.1 Structure of Racetrack Memory; 5.4.2 Write and Read Operations.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 5.5 Racetrack Memory Based Logic Implementations5.6 Chapter Summary; References.
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book offers detailed insights into spin transfer torque (STT) based devices, circuits and memories. Starting with the basic concepts and device physics, it then addresses advanced STT applications and discusses the outlook for this cutting-edge technology. It also describes the architectures, performance parameters, fabrication, and the prospects of STT based devices. Further, moving from the device to the system perspective it presents a non-volatile computing architecture composed of STT based magneto-resistive and all-spin logic devices and demonstrates that efficient STT based magneto-resistive and all-spin logic devices can turn the dream of instant on/off non-volatile computing into reality.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) EBOOK, asignarmaterias, EBSPRINGER_2017C
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
9 (RLIN) 138689
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Microelectrónica
Fuente del encabezamiento o término fast
Número de control del registro de autoridad o número normalizado (OCoLC)fst01019757
--
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Kulkarni, Anant Aravind.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Prajapati, Sanjay.
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Verma, Shivam
Títulos y otros términos asociados al nombre (Writer on microelectronics)
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=http://link.springer.com/10.1007/978-981-10-2720-8
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 1
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Library of Congress Classification
Tipo de ítem Koha LIBRO-E NO PRÉSTAMO
998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS
Fecha de catalogación 02/2018
Tipo de materia E-book
Catalogador
Catalogado
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Fuente de adquisición Precio Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 08/01/2018 5 0.00 En línea   T174.7 K387 2017 EB eBook.20023398 26/02/2018 26/02/2018 LIBRO-E NO PRÉSTAMO