MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
04820cam a2200409Mi 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
95519 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230102112707.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
m o d |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn||||mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
160908s2017 gw a ob 000 0 eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
3319431994 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783319431994 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| ISBN cancelado o inválido |
3319431978 |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| ISBN cancelado o inválido |
9783319431970 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
UPM |
| Centro/agencia transcriptor |
UPM |
| Centro/agencia modificador |
OCLCO |
| -- |
IDEBK |
| -- |
COO |
| -- |
OCLCF |
| -- |
Z5A |
| -- |
YDX |
| -- |
N$T |
| -- |
EBLCP |
| -- |
GW5XE |
| -- |
AZU |
| -- |
UAB |
| -- |
IOG |
| -- |
ESU |
| -- |
JBG |
| -- |
IAD |
| -- |
ICW |
| -- |
ICN |
| -- |
OCLCQ |
| -- |
VT2 |
| -- |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7881.15 |
| Número de documento/Ítem |
2017 EB |
| 245 00 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Power GaN Devices : |
| Resto del título |
Materials, Applications and Reliability |
| Mención de responsabilidad, etc. |
edited by Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cham |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing : |
| -- |
Imprint |
| -- |
Springer |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2017. |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (x, 380 páginas 306) |
| Otras características físicas |
ilustraciones (algunas a color) |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Término de tipo de contenido |
Texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
text file |
| Formato de codificación |
PDF |
| Fuente |
rda |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Power Electronics and Power Systems |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas |
2196-3185 |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
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| Nota general |
SpringerLink |
| -- |
Springer Engineering eBooks 2017 English+International |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
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| Nota de bibliografía, etc. |
Incluye referencias bibliográficas |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
1 Properties and advantages of gallium nitride; Daisuke Ueda -- 2 Substrate issues and epitaxial growth; Stacia Keller -- 3 GaN-on-Silicon CMOS compatible process; Denis Marcon -- 4 Lateral GaN-based power devices; Umesh Mishra -- 5 GaN-based vertical transistors; Srabanti Chowduri -- 6 GaN-based nanowire transistors; Tomas Palacios -- 7 Deep level characterization: electrical and optical methods; Robert Kaplar -- 8 Modeling of GaN HEMTs: from device-level simulation to virtual prototyping; Gilberto Curatola, Giovanni Verzellesi -- 9 Performance-limiting defects in GaN-based HEMTs: from surface states to common impurities; Bisi, Rossetto, De Santi, Meneghini, Meneghesso, Zanoni -- 10 Cascode configuration for normally-off devices; Primit Parikh -- 11 Gate injection transistors: E-mode operation and conductivity modulation; Tetsuso Ueda -- 12 Fluorine implanted E-mode transistors; Kevin Chen -- 13 Drift effects in GaN HV power transistors; Joachim Wuerfl -- 14 Reliability Aspects of 650V rated GaN Power Devices; P. Moens, A. Banerjee -- 15 Switching Characteristics of Gallium-Nitride Transistors: system level issues; Fred Lee, Qiang Li, Xiucheng Huang and Zhengyang Liu. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
This book presents the first comprehensive overview of the properties and fabrication methods of GaN-based power transistors, with contributions from the most active research groups in the field. It describes how gallium nitride has emerged as an excellent material for the fabrication of power transistors; thanks to the high energy gap, high breakdown field, and saturation velocity of GaN, these devices can reach breakdown voltages beyond the kV range, and very high switching frequencies, thus being suitable for application in power conversion systems. Based on GaN, switching-mode power converters with efficiency in excess of 99 % have been already demonstrated, thus clearing the way for massive adoption of GaN transistors in the power conversion market. This is expected to have important advantages at both the environmental and economic level, since power conversion losses account for 10 % of global electricity consumption. The first part of the book describes the properties and advantages of gallium nitride compared to conventional semiconductor materials. The second part of the book describes the techniques used for device fabrication, and the methods for GaN-on-Silicon mass production. Specific attention is paid to the three most advanced device structures: lateral transistors, vertical power devices, and nanowire-based HEMTs. Other relevant topics covered by the book are the strategies for normally-off operation, and the problems related to device reliability. The last chapter reviews the switching characteristics of GaN HEMTs based on a systems level approach. This book is a unique reference for people working in the materials, device and power electronics fields; it provides interdisciplinary information on material growth, device fabrication, reliability issues and circuit-level switching investigation. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
|---|
| Nota local 598 (boletines) |
EBOOK, asignarmaterias, EBSPRINGER_2017C |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Electrónica de potencia |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
(OCoLC)fst00937295 |
| -- |
|
| 9 (RLIN) |
150467 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Meneghesso, Gaudenzio, |
| Término indicativo de función/relación |
editor literario |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Meneghini, Matteo, |
| Término indicativo de función/relación |
editor literario |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Zanoni, Enrico, |
| Término indicativo de función/relación |
editor literario |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=http://link.springer.com/10.1007/978-3-319-43199-4 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
|---|
| Fecha de catalogación |
02/2018 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
|
| Catalogado |
Sí |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
|---|
| -- |
1 |