Electromigration inside logic cells : (Record no. 94969)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 04910cam a2200457Ii 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 94969
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control ES-MaUEC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230102112640.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija m o d
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr cnu|||unuuu
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 161202s2017 sz ob 000 0 eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 3319488988
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 3319488996
Información calificativa (electronic bk.)
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783319488981
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783319488998
Información calificativa (electronic bk.)
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
ISBN cancelado o inválido 9783319488981
Información calificativa (print)
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema (OCoLC)964698693
Número de control cancelado/no válido (OCoLC)974651743
-- (OCoLC)981099953
-- (OCoLC)1005800132
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen N$T
Centro/agencia transcriptor N$T
Centro/agencia modificador IDEBK
-- EBLCP
-- GW5XE
-- N$T
-- IDB
-- AZU
-- UAB
-- CNCGM
-- OCLCF
-- YDX
-- UPM
-- IOG
-- VT2
-- UWO
-- ESU
-- JBG
-- IAD
-- ICW
-- ICN
-- OTZ
-- OCLCQ
-- U3W
-- ES-MaUEC
Lengua de catalogación spa
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7868.L6
Número de documento/Ítem P677 2017 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Posser, Gracieli,
Término indicativo de función/relación autor
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Electromigration inside logic cells :
Resto del título modeling, analyzing and mitigating signal electromigration in NanoCMOS
Mención de responsabilidad, etc. Gracieli Posser, Sachin S. Sapatnekar, Ricardo Reis.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham, Switzerland
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2017
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido Texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo text file
Formato de codificación PDF
Fuente rda
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general SpringerLink
-- Springer Engineering eBooks 2017 English+International
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC.
Nota de bibliografía, etc. Incluye referencias bibliográficas
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Preface; Acknowledgments; Contents; List of Figures; List of Tables; Abbreviations; 1 Introduction; 1.1 Reliability and Electromigration; 1.2 Electromigration in Future Technologies; 1.3 Motivation and Contributions; 1.4 Monograph Outline; 2 State of the Art; 2.1 Mitigating the EM Effects in Different IC Design Flow Stages; 2.1.1 Managing Electromigration in Logic Designs; 2.1.2 Electromigration Impact in Future Technologies; 2.1.3 Smart Non-default Routing for Clock Power Reduction; 2.1.4 Impacts of Electromigration Awareness.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 2.2 Mitigating the EM Effects in Different Types of Interconnections2.2.1 TSVs; 2.2.2 Power Delivery Network; 2.2.3 Clock Network; 2.2.4 Vias; 2.2.5 Signal Interconnects; 2.2.6 Cell-Internal EM; 2.2.6.1 Accurate Current Estimation for Interconnect Reliability Analysis (Jain12); 2.2.6.2 CMOS Inverter and Standard Cell the Same(patenteempindomae2001cmos); 2.3 Summary of Related Works; 2.4 Conclusions; 3 Modeling Cell-Internal EM; 3.1 Modeling Time-to-Failure Under EM; 3.2 Joule Heating; 3.2.1 Local Hot Spots from Joule Heating; 3.3 Current Divergence.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 3.3.1 New Electromigration Validation: Via Node Vector Method3.3.2 Applying Current Divergence in the Proposed EM Model; 3.3.3 The Impact of Blech Length on Cell-Internal Interconnects; 3.4 Conclusions; 4 Current Calculation; 4.1 Current Flows Using Graph Traversals; 4.2 Algebra for Average/RMS Current Updates; 4.2.1 Algebra for Computing Average Current; 4.2.2 Algebra for Computing the RMS Current; 4.2.2.1 Example; 4.3 Results; 5 Experimental Setup; 6 Results; 6.1 The Electromigration Effects for Different Logic Gates; 6.1.1 NAND2_X2 and NOR2_X2 Gates.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 6.1.1.1 TTF Improvement by Layout Modifications6.1.2 AOI21_X2; 6.1.2.1 TTF Improvement by Layout Modifications; 6.1.3 NOR2_X4; 6.1.4 INV_X16; 6.2 Conclusion; 7 Analyzing the Electromigration Effects on Different Metal Layers and Different Wire Lengths; 7.1 Experimental Setup; 7.2 Simulation Results; 7.3 Conclusion; 8 Conclusions; 8.1 Future Works; A Impact on Physical Synthesis Considering Different Amounts of Instances with EM Awareness; B Coupling Capacitance Currents; References.
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book describes new and effective methodologies for modeling, analyzing and mitigating cell-internal signal electromigration in nanoCMOS, with significant circuit lifetime improvements and no impact on performance, area and power. The authors are the first to analyze and propose a solution for the electromigration effects inside logic cells of a circuit. They show in this book that an interconnect inside a cell can fail reducing considerably the circuit lifetime and they demonstrate a methodology to optimize the lifetime of circuits, by placing the output, Vdd and Vss pin of the cells in the less critical regions, where the electromigration effects are reduced. Readers will be enabled to apply this methodology only for the critical cells in the circuit, avoiding impact in the circuit delay, area and performance, thus increasing the lifetime of the circuit without loss in other characteristics.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) EBOOK, asignarmaterias, EBSPRINGER_2017B
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Iones
Fuente del encabezamiento o término embne
Número de control del registro de autoridad o número normalizado (OCoLC)fst00906436
--
9 (RLIN) 676271
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Reis, Ricardo
Término indicativo de función/relación autor
9 (RLIN) 100026
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Sapatnekar, Sachin S.,
Fechas asociadas al nombre 1967-
Término indicativo de función/relación autor
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=http://link.springer.com/10.1007/978-3-319-48899-8
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS
Fecha de catalogación 02/2018
Tipo de materia E-book
Catalogador
Catalogado
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 1
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Fuente de adquisición Precio Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 08/01/2018 5 0.00 En línea   TK7868.L6 P677 2017 EB eBook.20022574 26/02/2018 26/02/2018 LIBRO-E NO PRÉSTAMO