MARC details
| 000 -CABECERA |
| campo de control de longitud fija |
04580cam a2200421Ii 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
| campo de control |
94495 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
| campo de control |
20230102112616.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
| campo de control de longitud fija |
m o d |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
| campo de control de longitud fija |
cr cnu|||unuuu |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
| campo de control de longitud fija |
160812t20162017sz ob 001 0 eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
| Número Internacional Estándar del Libro |
3319393618 |
| Información calificativa |
(electronic bk.) |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783319393612 |
| Información calificativa |
(electronic bk.) |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
| ISBN cancelado o inválido |
9783319393599 |
| Información calificativa |
(print) |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
| Número de control de sistema |
(OCoLC)956539420 |
| Número de control cancelado/no válido |
(OCoLC)960711599 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
| Centro catalogador/agencia de origen |
N$T |
| Centro/agencia transcriptor |
N$T |
| Centro/agencia modificador |
GW5XE |
| -- |
IDEBK |
| -- |
OCLCQ |
| -- |
EBLCP |
| -- |
OCLCF |
| -- |
N$T |
| -- |
YDX |
| -- |
DEBBG |
| -- |
IDB |
| -- |
UAB |
| -- |
IOG |
| -- |
MERER |
| -- |
ESU |
| -- |
Z5A |
| -- |
OCLCQ |
| -- |
JBG |
| -- |
IAD |
| -- |
ICW |
| -- |
ICN |
| -- |
OTZ |
| -- |
OCLCQ |
| -- |
U3W |
| -- |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
| Número de clasificación |
T174.7 |
| Número de documento/Ítem |
C859 2016 EB |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
| Nombre de persona |
Cui, Zheng, |
| Fechas asociadas al nombre |
1954- |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
| Título |
Nanofabrication : |
| Resto del título |
principles, capabilities and limits |
| Mención de responsabilidad, etc. |
Zheng Cui. |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
| Mención de edición |
Second edition. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Switzerland |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
[2016] |
| 264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2017 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
| Extensión |
1 recurso en línea |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
| Término de tipo de contenido |
Texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
| Nota general |
SpringerLink |
| -- |
Springer Engineering eBooks 2017 English+International |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
| Nota de bibliografía, etc. |
Incluye referencias bibliográficas e índice |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
| Nota de contenido con formato |
Preface; Preface to the First Edition; Contents; Chapter 1: Introduction; 1.1 What Is Nanofabrication; 1.2 Classification of€Nanofabrication; 1.3 Purpose of€the€Book; Chapter 2: Nanofabrication by Photons; 2.1 Introduction; 2.2 Principle of€Optical Projection Lithography; 2.3 Basics of€Photoresists; 2.3.1 Process of€Optical Lithography; 2.3.2 Characteristics of€Photoresists; 2.4 Optical Lithography at Shorter Wavelengths; 2.4.1 Deep UV; 2.4.2 Extreme UV; 2.4.2.1 EUV Source; 2.4.2.2 EUV Optics; 2.4.2.3 EUV Mask; 2.4.2.4 EUV Resists; 2.4.3 X-Ray; 2.5 Optical Lithography at High NA. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
| Nota de contenido con formato |
2.6 Optical Lithography at Low k1 Factor2.6.1 Off-Axis Illumination (OAI); 2.6.2 Phase-Shifting Mask (PSM); 2.6.3 Optical Proximity Correction (OPC); 2.6.4 Photoresists; 2.6.4.1 Sensitivity; 2.6.4.2 Contrast; 2.6.4.3 Line Edge Roughness (LER); 2.6.4.4 Etch Resistance; 2.6.5 Design for€Manufacturing (DFM); 2.6.6 Double Processing; 2.7 Near-Field Optical Lithography; 2.8 Talbot Optical Lithography; 2.9 Interferometric Optical Lithography; 2.10 Maskless Optical Lithography; 2.11 Two-Photon Polymerization Lithography; References; Chapter 3: Nanofabrication by Electron Beam; 3.1 Introduction. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
| Nota de contenido con formato |
3.2 Principle of€Electron Optics3.2.1 Electron Lens; 3.2.2 Electron Source; 3.2.3 Aberrations; 3.3 Electron Beam Lithography Systems; 3.3.1 Basic Configuration; 3.3.2 Key Specifications; 3.3.3 Vector and€Raster Scanning; 3.3.4 Pattern Fragmentation; 3.3.5 Commercial e-Beam Lithography Systems; 3.4 Scattering and€Proximity Effect; 3.4.1 Electron Scattering; 3.4.2 Proximity Effect and€Correction; 3.4.3 Effect of€Secondary Electrons; 3.4.4 Low Energy e-Beam Lithography; 3.5 Resist Materials and€Processes; 3.5.1 Sensitivity of€Resist Materials; 3.5.2 Contrast of€Resist Materials. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
| Nota de contenido con formato |
3.5.3 Resolution Enhancement Processes3.6 Conditions for€High Resolution e-Beam Lithography; 3.7 High-Throughput e-Beam Lithography; 3.7.1 Shaped Beam Lithography; 3.7.2 Mask Projection Lithography; 3.7.3 Multi e-Beam Lithography; References; Chapter 4: Nanofabrication by Ion Beam; 4.1 Introduction; 4.2 Liquid Metal Ion Sources; 4.3 Focused Ion Beam Systems; 4.4 Ion Scattering in€Solid Materials; 4.5 FIB Direct Nanofabrication; 4.5.1 Ion Sputtering; 4.5.2 Ion Beam Assisted Deposition; 4.5.3 Applications; 4.5.3.1 Inspecting and€Editing Integrated Circuits. |
| 505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
| Nota de contenido con formato |
4.5.3.2 Repairing Defects of€Optical Masks4.5.3.3 Preparing TEM Samples; 4.5.3.4 Nanostructuring for€Scientific Research; 4.6 Focused Ion Beam Lithography; 4.7 Ion Projection Lithography; References; Chapter 5: Nanofabrication by Scanning Probes; 5.1 Introduction; 5.2 Principles of€Scanning Probe Microscopes; 5.3 Exposure of€Resists; 5.3.1 Field Electron Emission; 5.3.2 Exposure of€Resist by STM; 5.3.3 Exposure of€Resist by NSOM; 5.4 Local Oxidation Lithography; 5.5 Additive Nanofabrication; 5.5.1 Field Induced Deposition; 5.5.2 Dip-Pen Nanolithography; 5.6 Subtractive Nanofabrication. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
| Nota local 598 (boletines) |
EBOOK, asignarmaterias, EBSPRINGER_2017A |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Nanotecnología |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
(OCoLC)fst01894718 |
| -- |
|
| 9 (RLIN) |
158453 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=http://link.springer.com/10.1007/978-3-319-39361-2 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
| Fecha de catalogación |
02/2018 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
|
| Catalogado |
Sí |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
| -- |
1 |