Nanofabrication : (Record no. 94495)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 04580cam a2200421Ii 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 94495
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control ES-MaUEC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230102112616.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija m o d
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr cnu|||unuuu
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 160812t20162017sz ob 001 0 eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 3319393618
Información calificativa (electronic bk.)
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783319393612
Información calificativa (electronic bk.)
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
ISBN cancelado o inválido 9783319393599
Información calificativa (print)
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA
Número de control de sistema (OCoLC)956539420
Número de control cancelado/no válido (OCoLC)960711599
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen N$T
Centro/agencia transcriptor N$T
Centro/agencia modificador GW5XE
-- IDEBK
-- OCLCQ
-- EBLCP
-- OCLCF
-- N$T
-- YDX
-- DEBBG
-- IDB
-- UAB
-- IOG
-- MERER
-- ESU
-- Z5A
-- OCLCQ
-- JBG
-- IAD
-- ICW
-- ICN
-- OTZ
-- OCLCQ
-- U3W
-- ES-MaUEC
Lengua de catalogación spa
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación T174.7
Número de documento/Ítem C859 2016 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Cui, Zheng,
Fechas asociadas al nombre 1954-
Término indicativo de función/relación autor
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Nanofabrication :
Resto del título principles, capabilities and limits
Mención de responsabilidad, etc. Zheng Cui.
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición Second edition.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Switzerland
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright [2016]
264 #4 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2017
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido Texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
500 ## - NOTA GENERAL
Nota general SpringerLink
-- Springer Engineering eBooks 2017 English+International
504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC.
Nota de bibliografía, etc. Incluye referencias bibliográficas e índice
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Preface; Preface to the First Edition; Contents; Chapter 1: Introduction; 1.1 What Is Nanofabrication; 1.2 Classification of€Nanofabrication; 1.3 Purpose of€the€Book; Chapter 2: Nanofabrication by Photons; 2.1 Introduction; 2.2 Principle of€Optical Projection Lithography; 2.3 Basics of€Photoresists; 2.3.1 Process of€Optical Lithography; 2.3.2 Characteristics of€Photoresists; 2.4 Optical Lithography at Shorter Wavelengths; 2.4.1 Deep UV; 2.4.2 Extreme UV; 2.4.2.1 EUV Source; 2.4.2.2 EUV Optics; 2.4.2.3 EUV Mask; 2.4.2.4 EUV Resists; 2.4.3 X-Ray; 2.5 Optical Lithography at High NA.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 2.6 Optical Lithography at Low k1 Factor2.6.1 Off-Axis Illumination (OAI); 2.6.2 Phase-Shifting Mask (PSM); 2.6.3 Optical Proximity Correction (OPC); 2.6.4 Photoresists; 2.6.4.1 Sensitivity; 2.6.4.2 Contrast; 2.6.4.3 Line Edge Roughness (LER); 2.6.4.4 Etch Resistance; 2.6.5 Design for€Manufacturing (DFM); 2.6.6 Double Processing; 2.7 Near-Field Optical Lithography; 2.8 Talbot Optical Lithography; 2.9 Interferometric Optical Lithography; 2.10 Maskless Optical Lithography; 2.11 Two-Photon Polymerization Lithography; References; Chapter 3: Nanofabrication by Electron Beam; 3.1 Introduction.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 3.2 Principle of€Electron Optics3.2.1 Electron Lens; 3.2.2 Electron Source; 3.2.3 Aberrations; 3.3 Electron Beam Lithography Systems; 3.3.1 Basic Configuration; 3.3.2 Key Specifications; 3.3.3 Vector and€Raster Scanning; 3.3.4 Pattern Fragmentation; 3.3.5 Commercial e-Beam Lithography Systems; 3.4 Scattering and€Proximity Effect; 3.4.1 Electron Scattering; 3.4.2 Proximity Effect and€Correction; 3.4.3 Effect of€Secondary Electrons; 3.4.4 Low Energy e-Beam Lithography; 3.5 Resist Materials and€Processes; 3.5.1 Sensitivity of€Resist Materials; 3.5.2 Contrast of€Resist Materials.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 3.5.3 Resolution Enhancement Processes3.6 Conditions for€High Resolution e-Beam Lithography; 3.7 High-Throughput e-Beam Lithography; 3.7.1 Shaped Beam Lithography; 3.7.2 Mask Projection Lithography; 3.7.3 Multi e-Beam Lithography; References; Chapter 4: Nanofabrication by Ion Beam; 4.1 Introduction; 4.2 Liquid Metal Ion Sources; 4.3 Focused Ion Beam Systems; 4.4 Ion Scattering in€Solid Materials; 4.5 FIB Direct Nanofabrication; 4.5.1 Ion Sputtering; 4.5.2 Ion Beam Assisted Deposition; 4.5.3 Applications; 4.5.3.1 Inspecting and€Editing Integrated Circuits.
505 8# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato 4.5.3.2 Repairing Defects of€Optical Masks4.5.3.3 Preparing TEM Samples; 4.5.3.4 Nanostructuring for€Scientific Research; 4.6 Focused Ion Beam Lithography; 4.7 Ion Projection Lithography; References; Chapter 5: Nanofabrication by Scanning Probes; 5.1 Introduction; 5.2 Principles of€Scanning Probe Microscopes; 5.3 Exposure of€Resists; 5.3.1 Field Electron Emission; 5.3.2 Exposure of€Resist by STM; 5.3.3 Exposure of€Resist by NSOM; 5.4 Local Oxidation Lithography; 5.5 Additive Nanofabrication; 5.5.1 Field Induced Deposition; 5.5.2 Dip-Pen Nanolithography; 5.6 Subtractive Nanofabrication.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) EBOOK, asignarmaterias, EBSPRINGER_2017A
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Nanotecnología
Fuente del encabezamiento o término embne
Número de control del registro de autoridad o número normalizado (OCoLC)fst01894718
--
9 (RLIN) 158453
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=http://link.springer.com/10.1007/978-3-319-39361-2
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS
Fecha de catalogación 02/2018
Tipo de materia E-book
Catalogador
Catalogado
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 1
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Fuente de adquisición Precio Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 08/01/2018 5 0.00 En línea   T174.7 C859 2016 EB eBook.20022100 26/02/2018 26/02/2018 LIBRO-E NO PRÉSTAMO