Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors : (Record no. 86629)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 04257nam a22004215i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 86629
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control ES-MaUEC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230207040607.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 150805s2016 ii | s |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9788132225089
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen ES-MaUEC
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7871.95
Número de documento/Ítem F863 2016 EB
082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY
Número de clasificación 621.3815
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors :
Resto del título Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
Mención de responsabilidad, etc. edited by Souvik Mahapatra
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición 1st ed. 2015.
260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC.
Lugar de publicación, distribución, etc. New Delhi
Nombre del editor, distribuidor, etc. Springer India
Fecha de publicación, distribución, etc. 2016
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea (XVI, 269 p.)
Otras características físicas 201 ilustraciones, 67 ilustraciones en color
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido Texto (visual)
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
490 1# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Springer Series in Advanced Microelectronics
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 1437-0387
Designación de volumen o secuencia 52
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Introduction: Bias Temperature Instability (BTI) in N and P Channel MOSFETs -- Characterization Methods for BTI Degradation and Associated Gate Insulator Defects -- Physical Mechanism of BTI Degradation Direct Estimation of Trap Generation and Trapping -- Physical Mechanism of BTI Degradation Modeling of Process and Material Dependence -- Reaction-Diffusion Model -- Modeling of DC and AC NBTI Degradation and Recovery for SiON and HKMG MOSFETs -- Index.
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life, and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress, and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles, and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Física del estado sólido
Número de control del registro de autoridad o número normalizado comprobar BNE19900958620
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 405016
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Electrónica
Número de control del registro de autoridad o número normalizado comprobar BNE19900963053
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 138690
650 07 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Ingeniería
Subdivisión de forma Congresos y asambleas
Número de control del registro de autoridad o número normalizado LocalX
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 670301
710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA
Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada SpringerLink (Online service)
Número de control del registro de autoridad o número normalizado Local
9 (RLIN) 106996
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Mahapatra, Souvik.
Término indicativo de función/relación editor literario
9 (RLIN) 100491
Número de control del registro de autoridad o número normalizado Local
830 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE-TÍTULO UNIFORME
Título uniforme Springer Series in Advanced Microelectronics
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 1437-0387
Designación de volumen o secuencia 52
9 (RLIN) 134193
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://link.springer.com/book/10.1007/978-81-322-2508-9
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Library of Congress Classification
Tipo de ítem Koha LIBRO-E NO PRÉSTAMO
988 00 - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 EBOOK, EBSPRINGER
901 ## - ID MILLENIUM
Id Millenium i9788132225089
907 ## - TRANSACCIONES MILLENIUM
id bib interno millenium .b12959078
fecha actualizac reg bib 10-10-17
fecha creacion reg bib 21-11-16
998 ## - FONDO MILLENIUM
Biblioteca m
-- _alco
-- _vill
Fecha creación - -
Tipo de registro m
Tipo de materia E-book
e -
Idioma eng
País ii
h 0
945 ## - ITEM MILLENIUM
Signatura TK7871.95 F863 2016 EB
Número de copia 1
Código de barras eBOOK
Agencia 0
Localización del ejemplar (ubicación) mae
Código 2 (categoría) -
Precio EUR0.00
Mensaje (popup en cliente staff) -
Mensaje (visible en OPAC) -
Estado b
Tipo de ejemplar 15
Total de préstamos 0
Total de renovaciones 0
Préstamos del año en curso 0
Préstamos del año anterior 0
Identificador de la copia de ejemplar en Millennium .i11600548
Fecha de creación del ejemplar 06-04-17
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 1
Holdings
Información adicional para el OPAC Usos internos Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Precio Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Id de ejemplar Millenium Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente   No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 06/04/2017 0.00 En línea   TK7871.95 F863 2016 EB eBOOK .i11600548 17/12/2017 .i11600548 17/12/2017 LIBRO-E NO PRÉSTAMO