MARC details
| 000 -CABECERA |
| campo de control de longitud fija |
04257nam a22004215i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
| campo de control |
86629 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
| campo de control |
20230207040607.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
| campo de control de longitud fija |
150805s2016 ii | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9788132225089 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
| Número de clasificación |
TK7871.95 |
| Número de documento/Ítem |
F863 2016 EB |
| 082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
| Número de clasificación |
621.3815 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
| Título |
Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors : |
| Resto del título |
Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling |
| Mención de responsabilidad, etc. |
edited by Souvik Mahapatra |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
| Mención de edición |
1st ed. 2015. |
| 260 ## - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. |
| Lugar de publicación, distribución, etc. |
New Delhi |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
Springer India |
| Fecha de publicación, distribución, etc. |
2016 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
| Extensión |
1 recurso en línea (XVI, 269 p.) |
| Otras características físicas |
201 ilustraciones, 67 ilustraciones en color |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
| Término de tipo de contenido |
Texto (visual) |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 490 1# - MENCIÓN DE SERIE |
| Mención de serie |
Springer Series in Advanced Microelectronics |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas |
1437-0387 |
| Designación de volumen o secuencia |
52 |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
| Nota de contenido con formato |
Introduction: Bias Temperature Instability (BTI) in N and P Channel MOSFETs -- Characterization Methods for BTI Degradation and Associated Gate Insulator Defects -- Physical Mechanism of BTI Degradation Direct Estimation of Trap Generation and Trapping -- Physical Mechanism of BTI Degradation Modeling of Process and Material Dependence -- Reaction-Diffusion Model -- Modeling of DC and AC NBTI Degradation and Recovery for SiON and HKMG MOSFETs -- Index. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. |
| Sumario, etc. |
This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life, and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress, and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles, and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike. |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Física del estado sólido |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
comprobar BNE19900958620 |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
405016 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Electrónica |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
comprobar BNE19900963053 |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
138690 |
| 650 07 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Ingeniería |
| Subdivisión de forma |
Congresos y asambleas |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
LocalX |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
670301 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA |
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada |
SpringerLink (Online service) |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
Local |
| 9 (RLIN) |
106996 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
| Nombre de persona |
Mahapatra, Souvik. |
| Término indicativo de función/relación |
editor literario |
| 9 (RLIN) |
100491 |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
Local |
| 830 #0 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE SERIE-TÍTULO UNIFORME |
| Título uniforme |
Springer Series in Advanced Microelectronics |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas |
1437-0387 |
| Designación de volumen o secuencia |
52 |
| 9 (RLIN) |
134193 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://link.springer.com/book/10.1007/978-81-322-2508-9 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |
| 988 00 - NOTA LOCAL 598 |
| Nota local 598 |
EBOOK, EBSPRINGER |
| 901 ## - ID MILLENIUM |
| Id Millenium |
i9788132225089 |
| 907 ## - TRANSACCIONES MILLENIUM |
| id bib interno millenium |
.b12959078 |
| fecha actualizac reg bib |
10-10-17 |
| fecha creacion reg bib |
21-11-16 |
| 998 ## - FONDO MILLENIUM |
| Biblioteca |
m |
| -- |
_alco |
| -- |
_vill |
| Fecha creación |
- - |
| Tipo de registro |
m |
| Tipo de materia |
E-book |
| e |
- |
| Idioma |
eng |
| País |
ii |
| h |
0 |
| 945 ## - ITEM MILLENIUM |
| Signatura |
TK7871.95 F863 2016 EB |
| Número de copia |
1 |
| Código de barras |
eBOOK |
| Agencia |
0 |
| Localización del ejemplar (ubicación) |
mae |
| Código 2 (categoría) |
- |
| Precio |
EUR0.00 |
| Mensaje (popup en cliente staff) |
- |
| Mensaje (visible en OPAC) |
- |
| Estado |
b |
| Tipo de ejemplar |
15 |
| Total de préstamos |
0 |
| Total de renovaciones |
0 |
| Préstamos del año en curso |
0 |
| Préstamos del año anterior |
0 |
| Identificador de la copia de ejemplar en Millennium |
.i11600548 |
| Fecha de creación del ejemplar |
06-04-17 |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
| -- |
1 |