MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
04502nam a22004095i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
395682 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
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| campo de control |
20230118225023.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
a||||fo|||| 00| 0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
230118s2022 si | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811661204 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
|---|
| Número estándar o código |
10.1007/978-981-16-6120-4 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
ES-MaUEC |
| Centro/agencia modificador |
ES-MaUEC |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7871.99.M44 |
| Número de documento/Ítem |
2022 EB |
| 245 00 - MENCIÓN DE TÍTULO |
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| Título |
Recent Advances in PMOS Negative Bias Temperature Instability : |
| Resto del título |
Characterization and Modeling of Device Architecture, Material and Process Impact |
| Mención de responsabilidad, etc. |
edited by Souvik Mahapatra |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
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| Mención de edición |
1st edition 2022 |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Singapore |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2022 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (XXIII, 311 páginas) |
| Otras características físicas |
213 ilustraciones, 189 ilustraciones a color |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Término de tipo de contenido |
texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
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| Tipo de archivo |
archivo de texto |
| Formato de codificación |
PDF |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
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| Nota de contenido con formato |
Characterization of NBTI Parametric Drift -- BAT Framework Modeling of Gate First HKMG Si and SiGe Channel FDSOI MOSFETs -- BTI Analysis Tool (BAT) Model Framework -- BAT Framework Modeling of RMG HKMG SOI FinFETs -- BAT Framework Modeling of RMG HKMG GAA-SNS FETs -- BAT Framework Modeling of RMG HKMG Si and SiGe Channel FinFETs -- BAT Framework Modeling of Gate First HKMG Si Channel MOSFETs -- BAT Framework Modeling of AC NBTI: Stress Mode, Duty Cycle and Frequency -- BAT Framework Modeling of Dimension Scaling in FinFETs and GAA-SNS FETs -- BTI Analysis Tool (BAT) Model Framework - Generation of Interface Traps -- Device Architecture, Material and Process Dependencies of NBTI Parametric Drift -- Physical Mechanism of NBTI Parametric Drift -- BAT Framework Modeling of Gate First HKMG Si-capped SiGe Channel MOSFETs -- BTI Analysis Tool (BAT) Model Framework - Interface Trap Occupancy and Hole Trapping. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
This book covers advances in Negative Bias Temperature Instability (NBTI) and will prove useful to researchers and professionals in the semiconductor devices areas. NBTI continues to remain as an important reliability issue for CMOS transistors and circuits. Development of NBTI resilient technology relies on utilizing suitable stress conditions, artifact free measurements and accurate physics-based models for the reliable determination of degradation at end-of-life, as well as understanding the process, material and device architectural impacts. This book discusses: Ultra-fast measurements and modelling of parametric drift due to NBTI in different transistor architectures: planar bulk and FDSOI p-MOSFETs, p-FinFETs and GAA-SNS p-FETs, with Silicon and Silicon Germanium channels. BTI Analysis Tool (BAT), a comprehensive physics-based framework, to model the measured time kinetics of parametric drift during and after DC and AC stress, at different stress and recovery biases and temperature, as well as pulse duty cycle and frequency. The Reaction Diffusion (RD) model is used for generated interface traps, Transient Trap Occupancy Model (TTOM) for charge occupancy of the generated interface traps and their contribution, Activated Barrier Double Well Thermionic (ABDWT) model for hole trapping in pre-existing bulk gate insulator traps, and Reaction Diffusion Drift (RDD) model for bulk trap generation in the BAT framework; NBTI parametric drift is due to uncorrelated contributions from the trap generation (interface, bulk) and trapping processes. Analysis and modelling of Nitrogen incorporation into the gate insulator, Germanium incorporation into the channel, and mechanical stress effects due to changes in the transistor layout or device dimensions; similarities and differences of (100) surface dominated planar and GAA MOSFETs and (110) sidewall dominated FinFETs are analysed. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
|---|
| Nota local 598 (boletines) |
Springer_Engineering_2022 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
140004 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
160755 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Circuitos integrados CMOS |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811661198 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811661211 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811661228 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi-org.ezproxy.universidadeuropea.es/10.1007/978-981-16-6120-4 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
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| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
|---|
| Fecha de catalogación |
01/2023 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
Irene González |
| Catalogado |
Sí |