Layout Techniques in MOSFETs (Record no. 387875)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03255nam a22004095i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 387875
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control ES-MaUEC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230427093828.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija a||||fo|||| 00| 0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 230427s2016 sz | s |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783031020315
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/978-3-031-02031-5
Fuente del número o código doi
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen ES-MaUEC
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor ES-MaUEC
Centro/agencia modificador ES-MaUEC
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7871.95
Número de documento/Ítem 2016 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Gimenez, Salvador Pinillos,
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
9 (RLIN) 688276
Fechas asociadas al nombre 1962-
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Layout Techniques in MOSFETs
Mención de responsabilidad, etc. by Salvador Pinillos Gimenez
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición 1st edition 2016
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer International Publishing
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2016
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea (XI, 69 páginas)
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Término de tipo de contenido texto
Código de tipo de contenido txt
Fuente rdacontent
337 ## - TIPO DE MEDIO
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
Fuente rdamedia
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
Fuente rdacarrier
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies
Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas 2381-1439
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Dedication -- Acknowledgments -- Introduction -- The Origin of the Innovative Layout Techniques for MOSFETS -- Diamond MOSFET (Hexagonal Gate Geometry) -- Octo Layout Style (Octagonal Gate Shape) for MOSFET -- Ellipsoidal Layout Style for MOSFET -- Fish Layout Style (".
520 ## - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book aims at describing in detail the different layout techniques for remarkably boosting the electrical performance and the ionizing radiation tolerance of planar Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Field Effect Transistors (MOSFETs) without adding any costs to the current planar Complementary MOS (CMOS) integrated circuits (ICs) manufacturing processes. These innovative layout styles are based on pn junctions engineering between the drain/source and channel regions or simply MOSFET gate layout change. These interesting layout structures are capable of incorporating new effects in the MOSFET structures, such as the Longitudinal Corner Effect (LCE), the Parallel connection of MOSFETs with Different Channel Lengths Effect (PAMDLE), the Deactivation of the Parallel MOSFETs in the Bird's Beak Regions (DEPAMBBRE), and the Drain Leakage Current Reduction Effect (DLECRE), which are still seldom explored by the semiconductor and CMOS ICs industries. Several three-dimensional (3D) numerical simulations and experimental works are referenced in this book to show how these layout techniques can help the designers to reach the analog and digital CMOS ICs specifications with no additional cost. Furthermore, the electrical performance and ionizing radiation robustness of the analog and digital CMOS ICs can significantly be increased by using this gate layout approach.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) Synthesis Collection of Technology_2016
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 140004
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Semiconductores
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 139614
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Circuitos integrados
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Printed edition:
Número Internacional Estándar del Libro 9783031009037
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Printed edition:
Número Internacional Estándar del Libro 9783031031595
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-031-02031-5
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Library of Congress Classification
Tipo de ítem Koha LIBRO-E NO PRÉSTAMO
998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS
Fecha de catalogación
Tipo de materia E-book
Catalogador Irene González
Catalogado
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 25/11/2022 En línea   TK7871.95 2016 EB eBook.01113074 25/11/2022 25/11/2022 LIBRO-E NO PRÉSTAMO