MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
03675nam a22004455i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
387874 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230427092202.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
a||||fo|||| 00| 0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
230427s2016 sz | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031020278 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
|---|
| Número estándar o código |
10.1007/978-3-031-02027-8 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
ES-MaUEC |
| Centro/agencia modificador |
ES-MaUEC |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7874.75 |
| Número de documento/Ítem |
2016 EB |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Ashraf, Nabil Shovon, |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 9 (RLIN) |
687308 |
| Fechas asociadas al nombre |
1974- |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
New Prospects of Integrating Low Substrate Temperatures with Scaling-Sustained Device Architectural Innovation |
| Mención de responsabilidad, etc. |
by Nabil Shovon Ashraf, Shawon Alam, Mohaiminul Alam |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
|---|
| Mención de edición |
1st edition 2016 |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cham |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2016 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (VIII, 72 páginas) |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Término de tipo de contenido |
texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
archivo de texto |
| Formato de codificación |
PDF |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas |
2381-1439 |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Review of Research on Scaled Device Architectures and Importance of Lower Substrate Temperature Operation of n-MOSFETs -- Review of Research on Scaled Device Architectures and Importance of Lower Substrate Temperature Operation of n-MOSFETs -- Step-by-Step Computation of Threshold Voltage as a Function of Substrate Temperatures -- Step-by-Step Computation of Threshold Voltage as a Function of Substrate Temperatures -- Simulation Outcomes For Profile of Threshold Voltage As a Function of Substrate Temperature Based on Key Device-Centric Parameters -- Simulation Outcomes For Profile of Threshold Voltage As a Function of Substrate Temperature Based on Key Device-Centric Parameters -- Scaling Projection of Long Channel Threshold Voltage Variability with Substrate Temperatures to Scaled Node -- Scaling Projection of Long Channel Threshold Voltage Variability with Substrate Temperatures to Scaled Node -- Advantage of Lower Substrate Temperature MOSFET Operation to Minimize Short Channel Effects and Enhance Reliability -- Advantage of Lower Substrate Temperature MOSFET Operation to Minimize Short Channel Effects and Enhance Reliability -- A Prospective Outlook on Implementation Methodology of Regulating Substrate Temperatures on Silicon Die -- A Prospective Outlook on Implementation Methodology of Regulating Substrate Temperatures on Silicon Die -- Summary of Research Results -- Conclusion -- References -- Authors' Biographies. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
In order to sustain Moore's Law-based device scaling, principal attention has focused on toward device architectural innovations for improved device performance as per ITRS projections for technology nodes up to 10 nm. Efficient integration of lower substrate temperatures (. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
|---|
| Nota local 598 (boletines) |
Synthesis Collection of Technology_2016 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
139614 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Circuitos integrados |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
140004 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
167668 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Ingeniería de ordenadores |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Alam, Shawon |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 9 (RLIN) |
688274 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Alam, Mohaiminul |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 9 (RLIN) |
688275 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031008993 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031031557 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-031-02027-8 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
|---|
| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
|---|
| Fecha de catalogación |
|
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
Irene González |
| Catalogado |
Sí |