MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
04772nam a22004335i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
387328 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230313201721.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
a||||fo|||| 00| 0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
220601s2018 sz | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031020346 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
|---|
| Número estándar o código |
10.1007/978-3-031-02034-6 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
ES-MaUEC |
| Centro/agencia modificador |
ES-MaUEC |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TP482 |
| Número de documento/Ítem |
2018 EB |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Ashraf, Nabil Shovon, |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 9 (RLIN) |
687308 |
| Fechas asociadas al nombre |
1974- |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Low Substrate Temperature Modeling Outlook of Scaled n-MOSFET |
| Mención de responsabilidad, etc. |
by Nabil Shovon Ashraf |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
|---|
| Mención de edición |
1st edition 2018 |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cham |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2018 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (XI, 77 páginas) |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Término de tipo de contenido |
texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
archivo de texto |
| Formato de codificación |
PDF |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas |
2381-1439 |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
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| Nota de contenido con formato |
Preface -- Acknowledgments -- Introduction -- Historical Perspectives of Scaled MOSFET Evolution -- Simulation Results of On-State Drain Current and Subthreshold Drain Current at Substrate Temperatures Below 300 K -- Simulation Results on Substrate Mobility and On-Channel Mobility of Conventional Long-Channel ??-MOSFET at Substrate Temperatures 300 K and below -- Simulation Outcomes of Subthreshold Slope Factor or Coefficient for Different Substrate Temperatures at the Vicinity of a Subthreshold Region to Deep Subthreshold Region of a Long-Channel ??-MOSFET -- Review of Scaled Device Architectures for Their Feasibility To Low-Temperature Operation Simulation Perspectives of the Author's Current Research -- Summary of Research Results and Conclusions -- References -- Author's Biography. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
Low substrate/lattice temperature (< 300 K) operation of n-MOSFET has been effectively studied by device research and integration professionals in CMOS logic and analog products from the early 1970s. The author of this book previously composed an e-book in this area where he and his co-authors performed original simulation and modeling work on MOSFET threshold voltage and demonstrated that through efficient manipulation of threshold voltage values at lower substrate temperatures, superior degrees of reduction of subthreshold and off-state leakage current can be implemented in high-density logic and microprocessor chips fabricated in a silicon die. In this book, the author explores other device parameters such as channel inversion carrier mobility and its characteristic evolution as temperature on the die varies from 100-300 K. Channel mobility affects both on-state drain current and subthreshold drain current and both drain current behaviors at lower temperatures have been modeled accurately and simulated for a 1 ??m channel length n-MOSFET. In addition, subthreshold slope which is an indicator of how speedily the device drain current can be switched between near off current and maximum drain current is an important device attribute to model at lower operating substrate temperatures. This book is the first to illustrate the fact that a single subthreshold slope value which is generally reported in textbook plots and research articles, is erroneous and at lower gate voltage below inversion, subthreshold slope value exhibits a variation tendency on applied gate voltage below threshold, i.e., varying depletion layer and vertical field induced surface band bending variations at the MOSFET channel surface. The author also will critically review the state-of-the art effectiveness of certain device architectures presently prevalent in the semiconductor industry below 45 nm node from the perspectives of device physical analysis at lower substrate temperature operating conditions. The book concludes with an emphasis on modeling simulations, inviting the device professionals to meet the performance bottlenecks emanating from inceptives present at these lower temperatures of operation of today's 10 nm device architectures. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
|---|
| Nota local 598 (boletines) |
Synthesis Collection of Technology_2018 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
674511 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Criogenia |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
162208 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Transistores de efecto de campo |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
140004 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031001406 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031009068 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031031625 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-031-02034-6 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
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| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
|---|
| Fecha de catalogación |
03/2023 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
Susana Carmen Delgado Sanz |
| Catalogado |
Sí |