MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
03662nam a22004215i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
387325 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230313195609.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
a||||fo|||| 00| 0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
220601s2016 sz | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031020308 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
|---|
| Número estándar o código |
10.1007/978-3-031-02030-8 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
ES-MaUEC |
| Centro/agencia modificador |
ES-MaUEC |
| 050 ## - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7895.M4 |
| Número de documento/Ítem |
2016 EB |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Yu, Shimeng |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 9 (RLIN) |
687303 |
| Títulos y otros términos asociados al nombre |
(Electrical engineer) |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Resistive Random Access Memory (RRAM) |
| Mención de responsabilidad, etc. |
by Shimeng Yu |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
|---|
| Mención de edición |
1st edition 2016 |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
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| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cham |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2016 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (VII, 71 páginas) |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Término de tipo de contenido |
texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| Fuente |
rdacontent |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| Fuente |
rdamedia |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| Fuente |
rdacarrier |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
archivo de texto |
| Formato de codificación |
PDF |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas |
2381-1439 |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Introduction to RRAM Technology -- RRAM Device Fabrication and Performances -- RRAM Characterization and Modeling -- RRAM Array Architecture -- Outlook for RRAM's Applications -- Bibliography -- Author Biography. |
| 520 ## - SUMARIO, ETC. |
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| Sumario, etc. |
RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments and the electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAM's potential novel applications beyond the NVM applications. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
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| Nota local 598 (boletines) |
Synthesis Collection of Technology_2016 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
670359 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Dispositivos de almacenamiento de datos |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
673059 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Gestión de memoria |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
144554 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Arquitectura de ordenador |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031009020 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783031031588 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-031-02030-8 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
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| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
|---|
| Fecha de catalogación |
03/2022 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
Susana Carmen Delgado Sanz |
| Catalogado |
Sí |