Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors (Record no. 361891)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03978nam a22004215i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 361891
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control ES-MaUEC
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230102121440.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija a||||fo|||| 00| 0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 220124s2021 sz | s |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783030689407
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/978-3-030-68940-7
Fuente del número o código doi
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen ES-MaUEC
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor ES-MaUEC
Centro/agencia modificador ES-MaUEC
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7871.9
Número de documento/Ítem 2021 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Seidel, Achim
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
9 (RLIN) 681054
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
Mención de responsabilidad, etc. by Achim Seidel, Bernhard Wicht
250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN
Mención de edición First edition 2021
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer International Publishing
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2021
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea (XVII, 124 páginas)
Otras características físicas 72 ilustraciones, 56 ilustraciones a color
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Fuente rdacontent
Término de tipo de contenido Texto
Código de tipo de contenido txt
337 ## - TIPO DE MEDIO
Fuente rdamedia
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Fuente rdacarrier
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo archivo de texto
Formato de codificación PDF
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Engineering (SpringerNature-11647)
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Engineering (R0) (SpringerNature-43712)
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Chapter 1. Introduction -- Chapter 2. Fundamentals -- Chapter 3. Gate Drivers Based on High-Voltage Charge Storing (HVCS) -- Chapter 4. Gate Drivers Based on High-Voltage Energy Storing (HVES) -- Chapter 5. Gate Drivers for Large Gate Loops Based on HVES -- Chapter 6. Outlook and FutureWork -- Chapter 7. Conclusion.
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book explores integrated gate drivers with emphasis on new gallium nitride (GaN) power transistors, which offer fast switching along with minimum switching losses. It serves as a comprehensive, all-in-one source for gate driver IC design, written in handbook style with systematic guidelines. The authors cover the full range from fundamentals to implementation details including topics like power stages, various kinds of gate drivers (resonant, non-resonant, current-source, voltage-source), gate drive schemes, driver supply, gate loop, gate driver power efficiency and comparison silicon versus GaN transistors. Solutions are presented on the system and circuit level for highly integrated gate drivers. Coverage includes miniaturization by higher integration of subfunctions onto the IC (buffer capacitors), as well as more efficient switching by a multi-level approach, which also improves robustness in case of extremely fast switching transitions. The discussion also includes a concept for robust operation in the highly relevant case that the gate driver is placed in distance to the power transistor. All results are widely applicable to achieve highly compact, energy efficient, and cost-effective power electronics solutions. Provides readers with a comprehensive, all-in-one source for gate driver IC design, including implementation examples; Introduces new gate drive concepts including theory and design guidelines; Describes new gate driver architectures based on the presented gate drive concepts; Includes circuit design solutions, design aspects, and experimental verification of the implemented gate drivers; Covers the full range from fundamentals to implementation details including topics like power stages, various kinds of gate drivers (resonant, non-resonant, current-source, voltage-source), gate drive schemes, driver supply, gate loop, gate driver power efficiency and comparison silicon versus GaN transistors.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) Springer_Engineering_2021
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 141599
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Circuitos de transistores
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Wicht, B.
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
9 (RLIN) 676884
Fechas asociadas al nombre 1970-
Forma completa/desarrollada del nombre (Bernhard),
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Printed edition:
Número Internacional Estándar del Libro 9783030689391
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Printed edition:
Número Internacional Estándar del Libro 9783030689414
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Printed edition:
Número Internacional Estándar del Libro 9783030689421
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-030-68940-7
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 1
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Library of Congress Classification
Tipo de ítem Koha LIBRO-E NO PRÉSTAMO
998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS
Fecha de catalogación 01/2022
Tipo de materia E-book
Catalogador Irene González
Catalogado
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 27/12/2021 En línea   TK7871.9 2021 EB eBook.11012143 11/01/2022 11/01/2022 LIBRO-E NO PRÉSTAMO