MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
04249nam a2200445 c 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
114414 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
ES-MaUEC |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230110040221.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
a||||fo|||| 00| 0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn nnnaamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
190801s2020 gw a o |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783030202088 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
|---|
| Número estándar o código |
10.1007/978-3-030-20208-8 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
ES-MaUEC |
| Centro/agencia modificador |
ES-MaUEC |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7871.15 .G33 |
| Número de documento/Ítem |
2020 EB |
| 245 00 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
High-frequency GaN electronic devices |
| Mención de responsabilidad, etc. |
edited by Patrick Fay, Debdeep Jena, Paul Maki |
| 250 ## - MENCIÓN DE EDICIÓN |
|---|
| Mención de edición |
First edition |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cham |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2020 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (VIII, 309 páginas) |
| Otras características físicas |
221 ilustraciones, 199 ilustraciones a color |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Fuente |
rdacontent |
| Término de tipo de contenido |
Texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Fuente |
rdamedia |
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Fuente |
rdacarrier |
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
text file |
| Formato de codificación |
PDF |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Engineering (Springer-11647) |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Chapter 1. Introduction -- Chapter 2.High Power High Frequency Transistors: A Materials Perspective -- Chapter 3. Isotope Engineering of GaN for Boosting Transistor Speeds -- Chapter 4. Linearity Aspects of High Power Amplification in GaN Transistors -- Chapter 5. III-Nitride Tunneling Hot Electron Transfer Amplifier (THETA) -- Chapter 6.Plasma-Wave Propagation in GaN and Its Applications -- Chapter 7.Numerical Simulation of Distributed Electromagnetic and Plasma-wave Effect Devices -- Chapter 8.Resonant Tunneling Transport in Polar III-Nitride Heterostructures -- Chapter 9.Fabrication and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes -- Chapter 10.Non-Contact Metrology for mm-wave and THz Electronics. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
This book brings together recent research by scientists and device engineers working on both aggressively-scaled conventional transistors as well as unconventional high-frequency device concepts in the III-N material system. Device concepts for mm-wave to THz operation based on deeply-scaled HEMTs, as well as distributed device designs based on plasma-wave propagation in polarization-induced 2DEG channels, tunneling, and hot-carrier injection are discussed in detail. In addition, advances in the underlying materials science that enable these demonstrations, and advancements in metrology that permit the accurate characterization and evaluation of these emerging device concepts are also included. Targeting readers looking to push the envelope in GaN-based electronics device research, this book provides a current, comprehensive treatment of device concepts and physical phenomenology suitable for applying GaN and related materials to emerging ultra-high-frequency applications. Offers readers an integrated treatment of the state of the art in both conventional (i.e., HEMT) scaling as well as unconventional device architectures suitable for amplification and signal generation in the mm-wave and THz regime using GaN-based devices, written by authors that are active and widely-known experts in the field; Discusses both conventional scaled HEMTs (into the deep mm-wave) as well as unconventional approaches to address the mm-wave and THz regimes; Provides "vertically integrated" coverage, including materials science that enables these recent advances, as well as device physics & design, and metrology techniques; Includes fundamental physics, as well as numerical simulations and experimental realizations. |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Componentes electrónicos |
| 9 (RLIN) |
153705 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
140359 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Transistores |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores |
| 9 (RLIN) |
140004 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Fay, Patrick |
| Término indicativo de función/relación |
editor |
| Código de función/relación |
edt |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/edt |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Jena, Debdeep |
| Término indicativo de función/relación |
editor |
| Código de función/relación |
edt |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/edt |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Maki, Paul |
| Término indicativo de función/relación |
editor |
| Código de función/relación |
edt |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/edt |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783030202071 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783030202095 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Printed edition: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783030202101 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-030-20208-8 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
|---|
| Nota local 598 |
Springer_Engineering_2020 |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
|---|
| -- |
1 |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
|---|
| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |
| 998 ## - FONDO MILLENIUM |
|---|
| Biblioteca |
SI |
| Tipo de registro |
m |
| Tipo de materia |
z |
| Idioma |
eng |
| País |
gw |
| h |
0 |
| Fecha creación |
12/2019 |
| e |
el |
| Catalogado |
Sí |