MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
03743nam a22004095i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
102921 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
DE-He213 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230102113106.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
a||||fo|||| 00| 0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
171030s2018 si | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811065507 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
|---|
| Número estándar o código |
10.1007/978-981-10-6550-7 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
ES-MaUEC |
| Centro/agencia modificador |
ES-MaUEC |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7871.95 |
| Número de documento/Ítem |
A457 2018 EB |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Amiri, Iraj Sadegh, |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| Enlace |
<a href="http://viaf.org/viaf/311471994/">http://viaf.org/viaf/311471994/</a> |
| 9 (RLIN) |
670537 |
| Fechas asociadas al nombre |
1977- |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor |
| Mención de responsabilidad, etc. |
by Iraj Sadegh Amiri, Mahdiar Ghadiry. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Singapore |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2018 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (IX, 86 páginas 55 ilustraciones, 16 ilustraciones a color) |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Fuente |
rdacontent |
| Término de tipo de contenido |
Texto (visual) |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Fuente |
rdamedia |
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Fuente |
rdacarrier |
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
text file |
| Formato de codificación |
PDF |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology |
| Número Internacional Normalizado para Publicaciones Seriadas |
2191-530X |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Engineering (Springer-11647) |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
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| Nota de contenido con formato |
Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors -- Basic Concept of Field Effect Transistors -- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors -- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor -- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
This book discusses analytical approaches and modeling of the breakdown voltage (BV) effects on graphene-based transistors. It presents semi-analytical models for lateral electric field, length of velocity saturation region (LVSR), ionization coefficient (α), and breakdown voltage (BV) of single and double-gate graphene nanoribbon field effect transistors (GNRFETs). The application of Gauss's law at drain and source regions is employed in order to derive surface potential and lateral electric field equations. LVSR is then calculated as a solution of surface potential at saturation condition. The ionization coefficient is modelled and calculated by deriving equations for probability of collisions in ballistic and drift modes based on the lucky drift theory of ionization. The threshold energy of ionization is computed using simulation and an empirical equation is derived semi-analytically. Lastly avalanche breakdown condition is employed to calculate the lateral BV. On the basis of this, simple analytical and semi-analytical models are proposed for the LVSR and BV, which could be used in the design and optimization of semiconductor devices and sensors. The proposed equations are used to examine BV at different channel lengths, supply voltages, oxide thickness, GNR widths, and gate voltages. Simulation results show that the operating voltage of FETs could be as low as 0.25 V in order to prevent breakdown. However, after optimization, it can go as high as 1.5 V. This work is useful for researchers working in the area of graphene nanoribbon-based transistors. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
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| Nota local 598 (boletines) |
EBSPRINGER_2018 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Transistores de efecto de campo |
| 9 (RLIN) |
162208 |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Nanotecnología |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
158453 |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Ghadiry, Mahdiar |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811065491 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811065514 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-981-10-6550-7 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
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| -- |
1 |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
|---|
| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
|---|
| Fecha de catalogación |
02/2019 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
Irene Bastante |
| Idioma |
eng |
| País |
gw |
| h |
0 |