MARC details
| 000 -CABECERA |
| campo de control de longitud fija |
02947nam a22003255i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
| campo de control |
102867 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
| campo de control |
DE-He213 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
| campo de control |
20230102113103.0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
| campo de control de longitud fija |
171030s2018 gw | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783319678702 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
| Número estándar o código |
10.1007/978-3-319-67870-2 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
| Centro catalogador/agencia de origen |
ES-MaUEC |
| Lengua de catalogación |
spa |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
| Número de clasificación |
TK7872.C65 |
| Número de documento/Ítem |
F744 2018 EB |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
| Nombre de persona |
Freeman, Yuri |
| Término indicativo de función/relación |
autor |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
| Título |
Tantalum and Niobium-Based Capacitors |
| Resto del título |
Science, Technology, and Applications |
| Mención de responsabilidad, etc. |
by Yuri Freeman. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Cham |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2018 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
| Extensión |
1 recurso en línea (XIX, 120 páginas 109 ilustraciones, 57 ilustraciones a color) |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
| Tipo de archivo |
text file |
| Formato de codificación |
PDF |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
| Mención de serie |
Engineering (Springer-11647) |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
| Nota de contenido con formato |
Introduction -- Chap1: Major Degradation Mechanisms -- Chap2: Basic Technology -- Chap3: Applications -- Conclusion. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. |
| Sumario, etc. |
This book provides a comprehensive analysis of the science, technology, and applications of Tantalum and Niobium-based capacitors. The author discusses fundamentals, focusing on thermodynamic stability, major degradation processes and conduction mechanisms in the basic structure of Me-Me2O5-cathode (Me: Ta, Nb). Technology-related coverage includes chapters technology chapters on the major manufacturing steps from capacitor grade powder to the testing of finished capacitors. Applications discussed include high reliability, high charge and energy efficiency, high working voltages, high temperatures, etc. The links between the scientific foundation, breakthrough technologies and outstanding performance and reliability of the capacitors are demonstrated. The theoretical models discussed include the thermodynamics of the amorphous dielectrics, conduction mechanisms in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures, band diagrams of the organic semiconductors, etc. Provides a single-source reference to the science, technology, and applications of Tantalum and Niobium-based capacitors; Focuses on Polymer Tantalum capacitors, with rapidly growing applications in special and commercial electronics; Discusses in detail conduction and degradation mechanisms in amorphous dielectrics and multilayer capacitor structures with amorphous dielectrics, such as metal-insulator-semiconductor (MIS) structures with inorganic and organic semiconductors, as well as MOSFET transistors with high k dielectrics. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
| Nota local 598 (boletines) |
EBSPRINGER_2018 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Condensadores eléctricos |
| 9 (RLIN) |
667176 |
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783319678696 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783319678719 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9783319885001 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-319-67870-2 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS |
| Fecha de catalogación |
02/2019 |
| Tipo de materia |
E-book |
| Catalogador |
Irene Bastante |
| Idioma |
eng |
| País |
gw |
| h |
0 |
| 999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA) |
| -- |
1 |