Tantalum and Niobium-Based Capacitors (Record no. 102867)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 02947nam a22003255i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 102867
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control DE-He213
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230102113103.0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 171030s2018 gw | s |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783319678702
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/978-3-319-67870-2
Fuente del número o código doi
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Centro catalogador/agencia de origen ES-MaUEC
Lengua de catalogación spa
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7872.C65
Número de documento/Ítem F744 2018 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Freeman, Yuri
Término indicativo de función/relación autor
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Tantalum and Niobium-Based Capacitors
Resto del título Science, Technology, and Applications
Mención de responsabilidad, etc. by Yuri Freeman.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer International Publishing
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2018
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea (XIX, 120 páginas 109 ilustraciones, 57 ilustraciones a color)
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo text file
Formato de codificación PDF
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Engineering (Springer-11647)
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Introduction -- Chap1:  Major Degradation Mechanisms -- Chap2: Basic Technology -- Chap3: Applications -- Conclusion.
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book provides a comprehensive analysis of the science, technology, and applications of Tantalum and Niobium-based capacitors. The author discusses fundamentals, focusing on thermodynamic stability, major degradation processes and conduction mechanisms in the basic structure of Me-Me2O5-cathode (Me: Ta, Nb). Technology-related coverage includes chapters technology chapters on the major manufacturing steps from capacitor grade powder to the testing of finished capacitors. Applications discussed include high reliability, high charge and energy efficiency, high working voltages, high temperatures, etc. The links between the scientific foundation, breakthrough technologies and outstanding performance and reliability of the capacitors are demonstrated.  The theoretical models discussed include the thermodynamics of the amorphous dielectrics, conduction mechanisms in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures, band diagrams of the organic semiconductors, etc. Provides a single-source reference to the science, technology, and applications of Tantalum and Niobium-based capacitors; Focuses on Polymer Tantalum capacitors, with rapidly growing applications in special and commercial electronics; Discusses in detail conduction and degradation mechanisms in amorphous dielectrics and multilayer capacitor structures with amorphous dielectrics, such as metal-insulator-semiconductor (MIS) structures with inorganic and organic semiconductors, as well as MOSFET transistors with high k dielectrics.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) EBSPRINGER_2018
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Condensadores eléctricos
9 (RLIN) 667176
Fuente del encabezamiento o término embne
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319678696
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319678719
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319885001
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-319-67870-2
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
998 ## - DATOS ESTADÍSTICOS
Fecha de catalogación 02/2019
Tipo de materia E-book
Catalogador Irene Bastante
Idioma eng
País gw
h 0
999 ## - NÚMEROS DE CONTROL DE SISTEMA (KOHA)
-- 1
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 08/11/2018 En línea   TK7872.C65 F744 2018 EB eBook.15112839 04/12/2018 04/12/2018 LIBRO-E NO PRÉSTAMO