MARC details
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
03638nam a22004215i 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
102508 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
DE-He213 |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20230102113045.0 |
| 006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
a||||fo|||| 00| 0 |
| 007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
cr nn 008mamaa |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
170621s2018 si | s |||| 0|eng d |
| 020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
|---|
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811030666 |
| 024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES |
|---|
| Número estándar o código |
10.1007/978-981-10-3066-6 |
| Fuente del número o código |
doi |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Lengua de catalogación |
spa |
| Centro/agencia transcriptor |
ES-MaUEC |
| Centro/agencia modificador |
ES-MaUEC |
| 050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
|---|
| Número de clasificación |
TK7871.99.M44 |
| Número de documento/Ítem |
W898 2018 EB |
| 100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Wu, Yung-Chun. |
| Término indicativo de función/relación |
autor. |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| Enlace |
<a href="http://viaf.org/viaf/5252691/">http://viaf.org/viaf/5252691/</a> |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices |
| Mención de responsabilidad, etc. |
by Yung-Chun Wu, Yi-Ruei Jhan. |
| 264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
|---|
| Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Singapore |
| Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Springer International Publishing |
| Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
2018 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
1 recurso en línea (XIII, 330 páginas 243 ilustraciones, 240 ilustraciones a color.) |
| 336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
|---|
| Fuente |
rdacontent |
| Término de tipo de contenido |
Texto |
| Código de tipo de contenido |
txt |
| 337 ## - TIPO DE MEDIO |
|---|
| Fuente |
rdamedia |
| Nombre/término del tipo de medio |
electrónico |
| Código del tipo de medio |
c |
| 338 ## - TIPO DE SOPORTE |
|---|
| Fuente |
rdacarrier |
| Nombre/término del tipo de soporte |
recurso electrónico |
| Código del tipo de soporte |
cr |
| 347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL |
|---|
| Tipo de archivo |
text file |
| Formato de codificación |
PDF |
| 490 0# - MENCIÓN DE SERIE |
|---|
| Mención de serie |
Engineering (Springer-11647) |
| 505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO |
|---|
| Nota de contenido con formato |
Introduction of Synopsys Sentaurus TCAD 2014 version software environment operation interface and tools -- Simulation analysis of 2D MOSFET -- Simulation analysis of 3D FinFET with LG = 15 nm -- Simulation analysis of Inverter and SRAM of 3D FinFET with LG = 15 nm -- Simulation analysis of GAA NWFET -- Simulation analysis of Junctionless FET with LG = 10 nm -- Simulation analysis of Tunnel FET -- Simulation analysis of Si and Ge 3D FinFET with LG = 3 nm. |
| 520 3# - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
This book demonstrates how to use the Synopsys Sentaurus TCAD 2014 version for the design and simulation of 3D CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) semiconductor nanoelectronic devices, while also providing selected source codes (Technology Computer-Aided Design, TCAD). Instead of the built-in examples of Sentaurus TCAD 2014, the practical cases presented here, based on years of teaching and research experience, are used to interpret and analyze simulation results of the physical and electrical properties of designed 3D CMOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) nanoelectronic devices. The book also addresses in detail the fundamental theory of advanced semiconductor device design for the further simulation and analysis of electric and physical properties of semiconductor devices. The design and simulation technologies for nano-semiconductor devices explored here are more practical in nature and representative of the semiconductor industry, and as such can promote the development of pioneering semiconductor devices, semiconductor device physics, and more practically-oriented approaches to teaching and learning semiconductor engineering. The book can be used for graduate and senior undergraduate students alike, while also offering a reference guide for engineers and experts in the semiconductor industry. Readers are expected to have some preliminary knowledge of the field. |
| 988 ## - NOTA LOCAL 598 |
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| Nota local 598 (boletines) |
EBSPRINGER_2018 |
| 650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Fuente del encabezamiento o término |
embne |
| 9 (RLIN) |
140004 |
| Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores |
| 700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Jhan, Yi-Ruei. |
| Término indicativo de función/relación |
autor. |
| Código de función/relación |
aut |
| -- |
http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA |
|---|
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada |
SpringerLink (Online service) |
| Número de control del registro de autoridad o número normalizado |
<a href="http://id.loc.gov/authorities/names/no2005046756">http://id.loc.gov/authorities/names/no2005046756</a> |
| Enlace |
<a href="http://viaf.org/viaf/274647764/">http://viaf.org/viaf/274647764/</a> |
| 9 (RLIN) |
106996 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811097799 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811030659 |
| 776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL |
|---|
| Información de relación/Frase instructiva de referencia |
Edición impresa: |
| Número Internacional Estándar del Libro |
9789811030673 |
| 856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS |
|---|
| Identificador Uniforme del Recurso |
https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-981-10-3066-6 |
| Nota pública |
Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid) |
| 942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA) |
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| Fuente del sistema de clasificación o colocación |
Library of Congress Classification |
| Tipo de ítem Koha |
LIBRO-E NO PRÉSTAMO |