Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip (Record no. 102458)

MARC details
000 -CABECERA
campo de control de longitud fija 03801nam a22004455i 4500
001 - NÚMERO DE CONTROL
campo de control 102458
003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL
campo de control DE-He213
005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN
campo de control 20230102113043.0
006 - CÓDIGOS DE INFORMACIÓN DE LONGITUD FIJA--CARACTERÍSTICAS DEL MATERIAL ADICIONAL
campo de control de longitud fija a||||fo|||| 00| 0
007 - CAMPO FIJO DE DESCRIPCIÓN FÍSICA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija cr nn 008mamaa
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL
campo de control de longitud fija 170706s2018 gw | s |||| 0|eng d
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO
Número Internacional Estándar del Libro 9783319604022
024 7# - IDENTIFICADOR DE OTROS ESTÁNDARES
Número estándar o código 10.1007/978-3-319-60402-2
Fuente del número o código doi
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN
Lengua de catalogación spa
Centro/agencia transcriptor ES-MaUEC
Centro/agencia modificador ES-MaUEC
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO
Número de clasificación TK7895.E42
Número de documento/Ítem M456 2018 EB
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Meinerzhagen, Pascal.
Término indicativo de función/relación autor.
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
Enlace <a href="http://viaf.org/viaf/146147724950264592625/">http://viaf.org/viaf/146147724950264592625/</a>
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO
Título Gain-Cell Embedded DRAMs for Low-Power VLSI Systems-on-Chip
Mención de responsabilidad, etc. by Pascal Meinerzhagen, Adam Teman, Robert Giterman, Noa Edri, Andreas Burg, Alexander Fish.
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright Cham
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante Springer International Publishing
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright 2018
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA
Extensión 1 recurso en línea (IX, 146 páginas 84 ilustraciones a color.)
336 ## - TIPO DE CONTENIDO
Fuente rdacontent
Término de tipo de contenido Texto
Código de tipo de contenido txt
337 ## - TIPO DE MEDIO
Fuente rdamedia
Nombre/término del tipo de medio electrónico
Código del tipo de medio c
338 ## - TIPO DE SOPORTE
Fuente rdacarrier
Nombre/término del tipo de soporte recurso electrónico
Código del tipo de soporte cr
347 ## - CARACTERÍSTICAS DEL ARCHIVO DIGITAL
Tipo de archivo text file
Formato de codificación PDF
490 0# - MENCIÓN DE SERIE
Mención de serie Engineering (Springer-11647)
505 0# - NOTA DE CONTENIDO CON FORMATO
Nota de contenido con formato Motivation -- Introduction to Gain-Cell Based eDRAMs (GC-eDRAMs) -- GC-eDRAMs Operated at Scaled Supply Voltages -- Near-VT GC-eDRAM Implementations with Extended Retention Times -- Aggressive Technology and Voltage Scaling (to Sub-VT Domain) -- Single-Supply 3T Gain-Cell for Low-Voltage Low-Power Applications -- 4T Gain-Cell with Internal-Feedback for Ultra-Low Retention Power at Scaled CMOS Nodes -- Multilevel GC-eDRAM (MLGC-eDRAM) -- Soft Error Tolerant Low Power 4T Gain-Cell Array with Multi-Bit Error Detection and Correction -- Conclusions.
520 3# - SUMARIO, ETC.
Sumario, etc. This book pioneers the field of gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM) design for low-power VLSI systems-on-chip (SoCs). Novel GC-eDRAMs are specifically designed and optimized for a range of low-power VLSI SoCs, ranging from ultra-low power to power-aware high-performance applications. After a detailed review of prior-art GC-eDRAMs, an analytical retention time distribution model is introduced and validated by silicon measurements, which is key for low-power GC-eDRAM design. The book then investigates supply voltage scaling and near-threshold voltage (NTV) operation of a conventional gain cell (GC), before presenting novel GC circuit and assist techniques for NTV operation, including a 3-transistor full transmission-gate write port, reverse body biasing (RBB), and a replica technique for optimum refresh timing. Next, conventional GC bitcells are evaluated under aggressive technology and voltage scaling (down to the subthreshold domain), before novel bitcells for aggressively scaled CMOS nodes and soft-error tolerance as presented, including a 4-transistor GC with partial internal feedback and a 4-transistor GC with built-in redundancy.
988 ## - NOTA LOCAL 598
Nota local 598 (boletines) EBSPRINGER_2018
650 #7 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA
Fuente del encabezamiento o término embne
9 (RLIN) 161392
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada Sistemas informáticos
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Teman, Adam.
Término indicativo de función/relación autor.
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
Enlace <a href="http://viaf.org/viaf/308282789/">http://viaf.org/viaf/308282789/</a>
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Giterman, Robert.
Término indicativo de función/relación autor.
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Edri, Noa.
Término indicativo de función/relación autor.
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Burg, Andreas.
Término indicativo de función/relación autor.
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
Enlace <a href="http://viaf.org/viaf/13170408/">http://viaf.org/viaf/13170408/</a>
700 1# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA
Nombre de persona Fish, Alexander.
Término indicativo de función/relación autor.
Código de función/relación aut
-- http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut
Enlace <a href="http://viaf.org/viaf/60510434/">http://viaf.org/viaf/60510434/</a>
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319604015
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319604039
776 08 - ENTRADA/ENLACE A UN FORMATO FÍSICO ADICIONAL
Información de relación/Frase instructiva de referencia Edición impresa:
Número Internacional Estándar del Libro 9783319868554
856 40 - LOCALIZACIÓN Y ACCESO ELECTRÓNICOS
Identificador Uniforme del Recurso https://go.openathens.net/redirector/universidadeuropea.es?url=https://doi.org/10.1007/978-3-319-60402-2
Nota pública Acceso a este recurso digital (usuarios Universidad Europea de Madrid)
942 ## - ELEMENTOS DE PUNTO DE ACCESO ADICIONAL (KOHA)
Fuente del sistema de clasificación o colocación Library of Congress Classification
Tipo de ítem Koha LIBRO-E NO PRÉSTAMO
Holdings
Información adicional para el OPAC Código 2 (categoría) Estado de pérdida Fuente del sistema de clasificación o colocación Tipo de material Código 1: Estado físico No se presta Código de colección Estado Localización permanente Ubicación/localización actual Ubicación en estantería Fecha de adquisición Tipo de préstamo Total de préstamos Signatura topográfica completa Código de barras Fecha visto por última vez Precio válido a partir de Tipo de ítem Koha
Acceso concurrente No retirado   Library of Congress Classification E-Libro Buen estado Acceso electrónico Ciencias e Ingeniería Acceso electrónico Madrid Digital Madrid Digital Acceso Electrónico (UEM) 08/11/2018 En línea   TK7895.E42 M456 2018 EB eBook.15112430 04/12/2018 04/12/2018 LIBRO-E NO PRÉSTAMO